Samsung начала массовый выпуск передовых твердотельных накопителей для центров обработки данных — они будут использоваться в оборудовании на платформе Nvidia Vera Rubin. Новинки предлагают ёмкость до 64 Тбайт и скоростной интерфейс PCIe 6.0.
Содержание статьи
- 1 Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2
- 2 Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная
- 3 Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО
- 4 Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей
- 5 Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем
Репортаж с IEM Cologne Major 2026: Жаб Жабыч, триумф NiKo и главные сенсации мейджора по CS2
Умные помощники: обзор ИИ-сервисов для обработки изображений. Часть 2, актуализированная
Обзор Infinix GT 50 Pro: геймерский смартфон со встроенной СЖО
Выбираем лучший игровой ноутбук до 100 000 рублей: сравнительное тестирование 7 интересных моделей
Обзор Ryzen 9 9950X3D2: правильный 16-ядерник с 3D-кешем
Источник изображений: sasmung.com
Твердотельный накопитель корпоративного класса Samsung PM1763 был представлен на конференции Nvidia GTC. Компания Samsung продемонстрировала его вместе с высокоскоростной памятью нового поколения HBM4 и модулем SOCAMM2 с низким потреблением энергии — они вошли в комплексный пакет для ЦОД с системами искусственного интеллекта.
В накопителе используются новейшие чипы флеш-памяти Samsung V-NAND типа TLC и контроллер, который производится по нормам 4 нм и обеспечивает скорость записи более чем вдвое выше, чем у предшественника, отметил корейский производитель. SSD Samsung PM1763 разработан для снижения задержки данных в системах с современными процессорами и ИИ-ускорителями. Для поддержания высоких скоростей во время обучения и инференса ИИ накопитель предусматривает систему жидкостного охлаждения.
PM1763 оснащены интерфейсом PCIe 6.0. В основу положены чипы флеш-памяти TLC NAND. Заявлена скорость последовательного чтения до 28 400 Мбайт/с, и скорость последовательной записи до 21 000 Мбайт/с. Скорость операций ввода/вывода в секунду при произвольном чтении данных блоками по 4 Кбайт составляет до 6,8 млн IOPS, при произвольной записи — до 950 тыс. IOPS.
По итогам I квартала Samsung, по данным TrendForce, занимала наибольшую долю на рынке корпоративных SSD — 35 %. За ней следовали SK hynix, Micron, Kioxia и её партнёр в лице Sandisk.
