Южнокорейская компания Samsung Electronics воспользовалась трибуной отраслевой конференции Semicon Taiwan 2026 для рассказа о своих планах в сфере разработки и выпуска новых типов скоростной памяти. В ближайшей перспективе упор будет сделан на HBM5, zHBM и zNAND-O.
Содержание статьи
- 1 Обзор смартфона Samsung Galaxy Z Flip8: исчезающий вид?
- 2 Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку
- 3 10 флагманских процессоров Intel за 10 лет
- 4 Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)
- 5 Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700
- 6 Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги
- 7 Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine
- 8 Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)
Обзор смартфона Samsung Galaxy Z Flip8: исчезающий вид?
Снято в Голливуде? Почему Стэнли Кубрик физически не смог бы подделать лунную походку
10 флагманских процессоров Intel за 10 лет
Выбираем лучшие игровые ноутбуки на российском рынке (вторая половина 2026 года)
Лучший процессор под DDR4 в 2026 году: AM4 против LGA 1700
Сравнительный тест камер флагманских смартфонов (2026): итоги
Компьютер месяца, спецвыпуск: во что дефицит чипов памяти превратил бюджетные игровые ПК и при чем здесь Steam Machine
Топ-10 смартфонов до 10 тысяч рублей (2026 год)
Источник изображения: Samsung Electronics
Корпоративный вице-президент по планированию в сфере производства памяти Чан Сок Цой (Jangseok Choi) заявил, что HBM5 по сравнению с HBM4E удвоит быстродействие в чистом виде, а удельная производительность в пересчёте на ватт потребляемой мощности вырастет на 20 %. Тепловое сопротивление тоже снизится на 20 %, позволяя стекам памяти HBM5 лучше переносить высокие температуры, с которыми им придётся сталкиваться в процессе эксплуатации в составе ускорителей вычислений.
Базовый кристалл HBM5 будет выпускаться по 2-нм техпроцессу, тогда как HBM4 и HBM4E будут довольствоваться 4-нм. Массовое производство HBM5 компания Samsung начнёт примерно в 2028 году, со временем увеличив количество ярусов в стеке с 12 до 20 штук. Ещё более совершенным типом скоростной памяти станет zHBM, которая поднимет быстродействие в восемь раз по сравнению с HBM4E, а удельная производительность на ватт вырастет в три раза. Тепловое сопротивление zHBM удастся снизить на 75–90 %. Особенностью компоновки zHBM является размещение стека памяти непосредственно на сопутствующем процессоре, а не на подложке по соседству. Выпуск такой памяти будет налажен уже после 2029 года.
Твердотельная память в исполнении Samsung тоже будет эволюционировать, в 2028 году компания начнёт поставлять образцы микросхем zNAND-O, которая увеличит плотность на бит в десять раз по сравнению с DRAM, а пропускная способность на операциях чтения вырастет в семь раз по сравнению с классической NAND, как и энергетическая эффективность. Эта память будет сочетать в себе преимущества DRAM и NAND, активно применяясь в вычислительной инфраструктуре ИИ.
В целом, в эволюционном развитии микросхем памяти Samsung будет делать упор на увеличение ёмкости, повышение вычислительного КПД, пропускной способности и энергетической эффективности. Трёхмерная компоновка микросхем, оптимизация архитектуры, сокращение путей передачи информации и снижение энергопотребления позволят Samsung достичь указанных целей.
Было интересно? Скажите об этом Google, чтобы чаще получать ссылки на наши новости про технологии и рынок it
